| 肖特基C-V法研究AlxGa1-xN/GaN异质结界面二维电子气 |
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| 引用本文： | 周玉刚,沈波,刘杰,俞慧强,周慧梅,钱悦,张荣,施毅,郑有炓.肖特基C-V法研究AlxGa1-xN/GaN异质结界面二维电子气[J].半导体学报,2001,22(11). |
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| 作者姓名： | 周玉刚 沈波 刘杰 俞慧强 周慧梅 钱悦 张荣 施毅 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 通过对Pt/AI0 22Ga078N/GaN肖特基二极管的C-V测量,研究分析了A1022Ga078N/GaN异质结界面二维电子气(2DEG)浓度及其空间分布.测量结果表明,Al0.22Ga.8N/GaN异质结界面2DEG浓度峰值对应的深度在界面以下1.3nm处,2DEG分布峰的半高宽为2.3nm,2DEG面密度为6.5×1012cm-2.与AlxGa1xAs/GaAs异质结比,其2DEG面密度要高一个数量级,而空间分布则要窄一个数量级.这主要归结于A1xGa1-xN层中～MV/cm量级的压电极化电场和自发极化电场对AlxGa1-xN/GaN异质结能带的调制和AlxGa1xN/GaN异质结界面有更大的导带不连续.
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| 关 键 词： | AlxGa1-xN/GaN异质结 肖特基接触 二维电子气 |
Investigation on Two-Dimensional Electron Gas in AIxGa1-xN/GaN Heterostructures by Using Schottky C-V Measurement |
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