| 镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响 |
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| 引用本文： | 毛凌锋,卫建林,穆甫臣,谭长华,许铭真.镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响[J].半导体学报,2001,22(8). |
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| 作者姓名： | 毛凌锋 卫建林 穆甫臣 谭长华 许铭真 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所, |
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| 摘 要： | 随着器件尺寸的不断减小，直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素．数值求解的结果表明：镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响．利用WKB近似方法，获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达式．镜像势对直接隧穿电流的影响随着栅电压的减小而增大，但是随着栅氧化层厚度的减小而减小．
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| 关 键 词： | 镜像势 直接隧穿 MOS |
The Effects of Barrier Lowering Induced by Image Potential on the Direct Tunneling Current in Ultrathin MOS Structures |
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