镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响 |
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引用本文: | 毛凌锋,卫建林,穆甫臣,谭长华,许铭真. 镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响[J]. 半导体学报, 2001, 22(8) |
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作者姓名: | 毛凌锋 卫建林 穆甫臣 谭长华 许铭真 |
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作者单位: | 北京大学微电子学研究所, |
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摘 要: | 随着器件尺寸的不断减小,直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素.数值求解的结果表明:镜像势引起的势垒降低对超薄栅MOS直接隧穿电流有较大的影响.利用WKB近似方法,获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达式.镜像势对直接隧穿电流的影响随着栅电压的减小而增大,但是随着栅氧化层厚度的减小而减小.
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关 键 词: | 镜像势 直接隧穿 MOS |
The Effects of Barrier Lowering Induced by Image Potential on the Direct Tunneling Current in Ultrathin MOS Structures |
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Abstract: | |
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