| 聚合物发光器件中输运特性的模拟分析 |
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| 引用本文： | 熊绍珍,赵颖,吴春亚,郝云,王跃,陈有素,杨恢东,周祯华,俞钢. 聚合物发光器件中输运特性的模拟分析[J]. 半导体学报, 2001, 22(9) |
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| 作者姓名： | 熊绍珍 赵颖 吴春亚 郝云 王跃 陈有素 杨恢东 周祯华 俞钢 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院
2. UNIAX Corporation,6780 Cortona Drive,Santa Barbara, |
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| 摘 要： | 对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因.缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因.而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质:若为非欧姆接触,则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述;若为欧姆接触,则应用陷阱电荷限制电流(TCL)模型来描述.
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| 关 键 词： | 聚合物发光二极管 负阻现象 反向势垒,F-N隧穿模型 陷阱电荷限制电流(TCL)模型 |
Simulation Analysis of the Transport Performance of PLED |
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