|
|||||
|
|
| 短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型 | |
| 引用本文： | 万新恒,甘学温,张兴,黄如,王阳元. 短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型[J]. 半导体学报, 2001, 22(9) |
| 作者姓名： | 万新恒 甘学温 张兴 黄如 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所, |
| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 报道了一个含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型.该模型能自动计入体耗尽条件,不需要分类考虑不同膜厚时的情况.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于抗辐照SOI器件与电路的模拟. |
| 关 键 词： | SOI MOSFET 总剂量辐照效应 模型 |
A Short-Channel SOI MOSFET Model Considering Total Dose Effects |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |