| MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光 |
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| 引用本文： | 李述体,江风益,彭学新,王立,熊传兵,李鹏,莫春兰.MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光[J].半导体学报,2001,22(5). |
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| 作者姓名： | 李述体 江风益 彭学新 王立 熊传兵 李鹏 莫春兰 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所, |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，江西省跨世纪人才培养基金 |
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| 摘 要： | 采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道（RBS/Channeling）技术和光致发光（PL）技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试，获得了合金层的组分、厚度、元素随深度分布、结晶品质及发光性能等信息.研究表明生长温度和TMIn/TEGa比对InGaN薄膜的In组分和生长速率影响很大.在一定范围内，降低TMIn/TEGa比，InGaN膜的生长速率增大，合金的In组分反而提高.降低生长温度，InGaN膜的In组分提高，但生长速率基本不变.InGaN薄膜的结晶品质随In组分的增大而显著下降,InGaN薄膜的In组分由0.04增大到0.26，其最低沟道产额比由4.1%增至51.2%.InGaN薄膜中In原子易处于替位位置，在所测试的In组分范围，In原子的替位率均在98%以上.得到的质量良好的In0.04Ga0.96N薄膜的最低产额为4.1%.研究结果还表明用RBS技术和光致发光技术测定InGaN中In组分的结果相差很大,InGaN的PL谱要受较多因素影响，很难准确测定In组分，而以RBS技术得到的结果是可靠的.
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| 关 键 词： | MOCVD InGaN 卢瑟福背散射/沟道技术 光致发光 |
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