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| 半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR) 的分子束外延生长 | |
| 作者姓名： | 晏长岭 赵英杰 钟景昌 |
| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械物理研究所,;长春光学精密机械学院 |
| 摘 要： | 用分子束外延技术(MBE)生长了以GaAs/AlAs超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的P型半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)．此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为850nm．由实验表明,19个周期的反射镜获得了高达99％以上的高反射率．与此同时,采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成15μm×15μm的正方形电流注入区,以此测定P型反射镜的串联电阻,克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点,实验得出此P型反射镜的串联电阻仅为50Ω左右．在生长过程中,发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中,生长这种半导体/超晶格反射镜相对其他半导体/半导体反射镜要节省很多外延生长时间,因此较适合应用于多层结构的光电器件中． |
| 关 键 词： | 分布布拉格反射镜(DBR) 超晶格 分子束外延(MBE) 反射谱 串联电阻 |
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