| FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测 |
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| 引用本文： | 穆甫臣,许铭真,谭长华,段小蓉.FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测[J].半导体学报,2001,22(12). |
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| 作者姓名： | 穆甫臣 许铭真 谭长华 段小蓉 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所,北京,100871 |
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| 摘 要： | 通过对不同氧化层厚度的N-MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究,发现栅电压漂移符合Weibull分布.Weibull分布统计分析表明,5.0、7.0和9.0nm器件在27和105C下本征失效的形状因子相同,即本征失效的失效机制在高低温度下相同.非本征失效的比例随温度升高而增大.在此基础上得出平均寿命(t50)与加速电场E成指数关系,进而提出了器件的寿命预测方法.此方法可预测超薄栅N-MOSFET在FN应力下的寿命.
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| 关 键 词： | 可靠性 超薄栅MOSFET Weibull分布 |
Statistical Failure Characteristics of N-MOSFET's with Ultrathin Gate Oxides Under FN Stress and Lifetime Prediction |
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