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| ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上GaN的生长 | |
| 作者姓名： | 毕朝霞 张荣 李卫平 殷江 沈波 周玉刚 陈鹏 陈志忠 顾书林 施毅 刘治国 郑有炓 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 研究了直接在ZnAl2O4/α-Al2O3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜．利用脉冲激光淀积法在α-Al2O3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜，对ZnO/α-Al2O3样品在1100℃退火得到了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底，并在此复合衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了纤锌矿结构GaN．X射线衍射谱表明反应得到的ZnAl2O4层为（111）取向．扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于30min增加到20h,ZnAl2O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构，相应的GaN X 射线衍射谱表明GaN由c轴单晶变为多晶，单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°．结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核，从而提高了GaN的晶体质量． |
| 关 键 词： | GaN ZnAl2O4 MOCVD X射线衍射(XRD) 扫描电子显微镜(SEM) |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |