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| 带门极双层Si-δ-掺杂GaAs中的奇特非线性耗尽 | |
| 引用本文： | 卢铁城,林理彬,M.LEVIN,V.GINODMAN,I.SHLIMAK.带门极双层Si-δ-掺杂GaAs中的奇特非线性耗尽[J].半导体学报,2001,22(5). |
| 作者姓名： | 卢铁城 林理彬 M.LEVIN V.GINODMAN I.SHLIMAK |
| 作者单位： | 1. 四川大学物理系,Bar-Ilan大学物理系Resnick先进技术研究所, 2. 四川大学物理系, 3. Bar-Ilan大学物理系Resnick先进技术研究所, |
| 摘 要： | 报道了带门极双层Si-δ-掺杂GaAs样品中的二维电子系统Hall效应的低温测量实验,观察到了电子耗尽过程中电子浓度与门电压的奇特、复杂的非线性关系.根据双电容器(由两个δ-掺杂二维电子层和一个金属门电极构成)模型的假设和在双对数坐标中电子迁移率与电子浓度呈线性关系的实验结果，解释了这一非线性耗尽现象. |
| 关 键 词： | 非线性耗尽 带门极双层Si-δ-掺杂GaAs |
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