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| 低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真 | |
| 引用本文： | 吴郁,陆秀洪,亢宝位,王哲,程序,高琰.低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真[J].半导体学报,2001,22(12). |
| 作者姓名： | 吴郁 陆秀洪 亢宝位 王哲 程序 高琰 |
| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制学院,北京100022 |
| 摘 要： | 提出了一种新结构的IGBT,取名为低功耗IGBT(LPL-IGBT),它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区,从而具有NPT-IGBT的优点;同时具有由衬底预扩散残留层构成的n型缓冲层,又具有PT-IGBT的优点.计算机仿真结果证明,它的关断损耗比PT-IGBT和NPT-IGBT降低一倍左右.它的结构比FSIGBT更适合于实际生产. |
| 关 键 词： | PT-IGBT NPT-IGBT 通态压降 关断损耗 |
A Novel Low Power Loss IGBT (LPL-IGBT) and Its Simulation |
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