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| 深亚微米FD-SOI器件亚阈模型 | |
| 引用本文： | 程彬杰,邵志标,唐天同,沈文正,赵文魁. 深亚微米FD-SOI器件亚阈模型[J]. 半导体学报, 2001, 22(7) |
| 作者姓名： | 程彬杰 邵志标 唐天同 沈文正 赵文魁 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学, 2. 西安微电子研究所, |
| 摘 要： | 通过对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解亚阈区的二维泊松方程,得到全耗尽器件的表面势公式;通过引入新的参数,对公式进行修正,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型,能够很好地描述漏感应势垒降低效应.在此基础上,建立了亚阈漏电流模型,它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性,模型计算结果与二维器件模拟软件MEDICI的模拟结果相符. |
| 关 键 词： | 表面势 漏感应势垒降低效应 亚阈区模型 全耗尽MOS器件 |
Modeling of Subthreshold Characteristics of Deep-Submicrometer FD Devices |
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