|
|||||
|
|
| 富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性 | |
| 引用本文： | 金应荣,朱世富,赵北君,邵双运,李奇峰,王雪敏,于丰亮,宋芳. 富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性[J]. 半导体学报, 2001, 22(9) |
| 作者姓名： | 金应荣 朱世富 赵北君 邵双运 李奇峰 王雪敏 于丰亮 宋芳 |
| 作者单位： | 四川大学材料科学系, |
| 基金项目： | 教育部高校骨干教师资助计划 |
| 摘 要： | 用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶,其电阻率为107Ω*cm量级,电子陷阱浓度为108cm-3量级,且能将注入其中的部分电荷储存起来.分析认为,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由Se空位引起的. |
| 关 键 词： | 气相生长 CdSe单晶 电子陷阱 |
Vapor Growth and Electrical Properties of CdSe Crystals with Excess Cd |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |