| 电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO2膜的电流增强及模型解释 |
| |
| 引用本文： | 冯文修,陈蒲生,田浦延,刘剑.电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO2膜的电流增强及模型解释[J].半导体学报,2001,22(11). |
| |
| 作者姓名： | 冯文修 陈蒲生 田浦延 刘剑 |
| |
| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系,广州,510640 |
| |
| 摘 要： | 用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)10 nm SiO2膜,制备了<100>和<111>晶向Si衬底上的Si-SiOxNy-Al电容结构.研究了电子从〈100〉和〈111>不同晶向N型硅积累层到RTN后SiO2膜(或原始SiO2膜)的漏电流和高场F-N隧穿电流.研究结果表明:经RTN SiO2膜比原始SiO2膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象.比较RTN后两种不同晶向样品,低场漏电流没有多大的差别而在高场从<100>晶向比从<111>晶向Si隧穿SiOxNy膜的F-N电流却明显增加,借用一种基于横向晶格动量守恒的理论模型解释了这种现象.
|
| 关 键 词： | 电子隧穿 快速热氮化 SiO2膜 晶向硅 |
The Current Enhancement of the Tunneling Rapid Thermal Nitrided SiO2 Films from Different Oriented Si and the Model Explaination |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
