| 智能剥离SOI高温压力传感器 |
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| 引用本文： | 黄宜平,竺士炀,李爱珍,鲍敏杭,沈绍群,王瑾,吴东平.智能剥离SOI高温压力传感器[J].半导体学报,2001,22(7). |
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| 作者姓名： | 黄宜平 竺士炀 李爱珍 鲍敏杭 沈绍群 王瑾 吴东平 |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系, |
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| 基金项目： | 上海市科技发展基金，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用改进的RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离SOI(Silicon On Insulator)材料,并用该材料成功地研制了双岛-梁-膜结构的SOI高温压力传感器.对SOI压力传感器的测量结果表明,当温度增加到150℃左右时,输出电压没有明显的变化,其工作温度高于一般的体硅压力传感器(其工作温度一般在120℃以下).测得所制备SOI压力传感器的灵敏度为63mV/(MPa*5V),比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约7倍多.
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| 关 键 词： | SOI 压力传感器 低温键合 智能剥离 高温 |
High Temperature Pressure Sensor Fabricated with Smart-Cut SOI Materials |
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