| 利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量 |
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| 引用本文： | 毛凌锋,谭长华,许铭真. 利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量[J]. 半导体学报, 2001, 22(7) |
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| 作者姓名： | 毛凌锋 谭长华 许铭真 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所, |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 给出了一种利用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.用干涉方法计算所得到的隧穿电子在不同的MOS结构的二氧化硅介质层中的有效质量表明:它一般在自由电子质量的0.52-0.84倍的范围.实验结果表明:电子有效质量的值不随外加电压的变化而变化,并且对于相同的MOS结构,电子可能具有相同的有效质量.
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| 关 键 词： | 有效质量 场效应晶体管 隧穿 |
Effective Electron-Mass Measurements for Thin Film Insulator MOS Structure Using Fowler-Nordheim Tunneling Current Oscillations |
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