| 正向栅控二极管的R-G电流直接表征NMOSFET |
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| 引用本文： | 何进,黄爱华,张兴,黄如. 正向栅控二极管的R-G电流直接表征NMOSFET[J]. 半导体学报, 2001, 22(7) |
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| 作者姓名： | 何进 黄爱华 张兴 黄如 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所, |
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| 基金项目： | 摩托罗拉和北京大学联合研究基金 |
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| 摘 要： | 使用半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE,对正向栅控二极管R-G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究.数值分析表明:由于栅控正向二极管界面态R-G电流的特征,沟道工程pocket或halo注入区的界面态会产生一个独立于本征沟道界面态R-G电流特征峰的附加特征峰.该峰的幅度对应于pocket或halo区的界面态大小,而其峰位置对应于pocket或halo区的有效表面浓度.数值分析还进一步显示了该附加特征峰的幅度对pocket或halo 区的界面态变化的敏感性和该峰的位置对pocket或halo区的有效表面浓度变化的敏感性.根据提出的简单表达式,可以用实验得到的R-G电流的特征直接抽取沟道工程的pocket或halo注入区的界面态和有效表面浓度.
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| 关 键 词： | 正向栅控二极管 R-G电流 NMOSFET pocket或halo注入区 界面态 有效表面浓度 |
Channel Lateral Pocket or Halo Region of NMOSFET Characterized by Interface State R-G Current of the Forward Gated-Diode |
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