| GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应 |
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| 引用本文： | 向贤碧,杜文会,廖显伯,常秀兰. GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应[J]. 半导体学报, 2001, 22(6) |
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| 作者姓名： | 向贤碧 杜文会 廖显伯 常秀兰 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京 100083
2. 中国科学院半导体研究所表面物理国家实验室,北京 100083 |
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| 摘 要： | 对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验.质子辐照的能量为325keV,辐照的剂量为5×1010-1×1013cm-2.实验结果表明,质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化,其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显.退火实验结果表明,200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复.此外,实验结果还指出,在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤.
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| 关 键 词： | 质子辐照 热退火 太阳电池 |
Proton Irradiation and Thermal Annealing of GaAs Solar Cells |
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