| 沟道热载流子导致的PDSOI NMOSFET's击穿特性 |
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| 引用本文： | 刘红侠,郝跃,朱建纲.沟道热载流子导致的PDSOI NMOSFET's击穿特性[J].半导体学报,2001,22(8). |
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| 作者姓名： | 刘红侠 郝跃 朱建纲 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所, |
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| 摘 要： | 对热载流子导致的SIMOX衬底上的部分耗尽SOI NMOSFET's 的栅氧化层击穿进行了系统研究．对三种典型的热载流子应力条件造成的器件退化进行实验．根据实验结果，研究了沟道热载流子对于SOI NMOSFET's前沟特性的影响．提出了预见器件寿命的幂函数关系，该关系式可以进行外推．实验结果表明，NMOSFET's 的退化是由热空穴从漏端注入氧化层，且在靠近漏端被俘获造成的，尽管电子的俘获可以加速NMOSFET's的击穿．一个Si原子附近的两个Si—O键同时断裂，导致栅氧化层的破坏性击穿．提出了沟道热载流子导致氧化层击穿的新物理机制．
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| 关 键 词： | 热载流子效应 器件寿命 SOI NMOSFET's SIMOX |
Channel Hot-Carrier-Induced Breakdown of PDSOI NMOSFET's |
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