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| 碳还原锆英石的Si—C—O系中C和CO优势图 | |
| 引用本文： | 袁章福,罗胜昌.碳还原锆英石的Si—C—O系中C和CO优势图[J].化工冶金,1996,17(3):189-195. |
| 作者姓名： | 袁章福 罗胜昌 |
| 作者单位： | [1]北京科技大学 [2]冶金工业部 |
| 摘 要： | 对碳还原锆英石中ＳｉＯ２进行了温度、配碳量，时间和工的实验研究，得到相应的脱硅率的影响规律，建立了Ｓｉ－Ｃ－Ｏ系中Ｃ－ＣＯ型优势图，讨论了ＳｉＯ分和ＳｉＯ２活度等对脱硅率的影响，得到温度与ＳｉＯ２最低含量的理论关系，配碳量为７．５％时的脱硅率达到极大值９７．２２％，在１８７３－２２７３Ｋ温度范围内的化学反应表观活化能为２８２．０ＫＪ／ｍｏｌ，反应的主要限制环节是锆英石的热分解。 |
| 关 键 词： | 锆英石 氧化硅 还原 Si－C－O系 C－CO型 优势图 |
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