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用于射频标签的低功耗上电复位电路
引用本文:张旭琛,彭敏,戴庆元,杜涛. 用于射频标签的低功耗上电复位电路[J]. 半导体技术, 2011, 36(1): 45-48. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.012
作者姓名:张旭琛  彭敏  戴庆元  杜涛
作者单位:上海交通大学,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200240;上海交通大学,微米纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200240
基金项目:上海信息委2009年资助项目(NFC01_SJXW0709)
摘    要:介绍了一种用于射频标签芯片中数字逻辑部分的上电复位电路。该上电复位电路适应于低电源电压的芯片,改变MOS晶体管的参数以及延迟时间可以调节脉冲的宽度和数字门电路加宽脉冲的宽度,通过反馈管,电路能够抵抗比较大的电源电压噪声影响。电路产生上电复位信号脉冲后,通过反馈控制使能端信号关断整个电路,实现低功耗。电路采用华虹NEC公司0.13μm标准CMOS工艺流片,测试结果表明,此电路能够输出有效的脉冲信号;脉冲过后的导通电流基本为0。FPGA平台的验证表明,芯片输出的POR信号能够正确启动标签中的数字基带芯片,输出信号有效。

关 键 词:上电复位  低功耗  射频识别  0.13 μm  互补金属氧化物半导体

Power on Reset Circuit for RFID Tag with Low Power Dissipation
Zhang Xuchen,Peng Min,Dai Qingyuan,Du Tao. Power on Reset Circuit for RFID Tag with Low Power Dissipation[J]. Semiconductor Technology, 2011, 36(1): 45-48. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.012
Authors:Zhang Xuchen  Peng Min  Dai Qingyuan  Du Tao
Affiliation:Zhang Xuchen,Peng Min,Dai Qingyuan,Du Tao(a.Key Laboratory for Thin Film and Micro-fabrication Technology of Ministry of Education,b.National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200240,China)
Abstract:A power on reset(POR) circuit for RFID tag with low power-supply voltage was described.The pulse width can be modified by exchanging the parameters of MOS or changing the digital gateway' s delay time.Compared with the common POR circuit,the proposed POR circuits can resist greater noise influence by using a feedback transistor.The entire circuits can be powered off through the negative feedback circuits,which make the circuit have very low power dissipation.This circuit was implemented in the tag chip with...
Keywords:power on reset(POR)  low power dissipation  radio frequency identification(RFID)  0.13 μm  COMOS
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