| 双波段光电探测器 |
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| 引用本文： | 刘铁权,但伟. 双波段光电探测器[J]. 半导体光电, 2000, 21(Z1): 70-72 |
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| 作者姓名： | 刘铁权 但伟 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所，重庆 400060 |
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| 摘 要： | 光电探测器是实现光电检测及各种光电技术的核心部件。文章介绍采用Si和In-GaAs两种材料集成制作的双波段光电探测器，它能同时探测并区分400～1100nm和1100～1 650 nm波段的入射光。
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| 关 键 词： | 光电探测器 硅 铟镓砷 photodetectors Si InGaAs |
| 文章编号： | 1001-5868(2000)01S-0070-03 |
| 修稿时间： | 1999-11-20 |
Two-color Photodetectors |
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| LIU Tie-quan,Dan Wei. Two-color Photodetectors[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2000, 21(Z1): 70-72 |
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| Authors: | LIU Tie-quan Dan Wei |
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| Abstract: | Photodetectors are the critical parts for implementation of optoelectoronic detection and various optoelectronic technology. The paper introduces two-color photodetectors made of silicon integrated with InGaAs. These photodetectors can detect and respond incident light with the range of 400～1 100 nm and 1 100～1 650 nm simultaneously. |
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| Keywords: | photodetectors Si InGaAs |
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