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3H桥开关次数均衡死区消除SVPWM
引用本文:宋春伟,何金龙,李刚.3H桥开关次数均衡死区消除SVPWM[J].电机与控制学报,2023(1):80-87+109.
作者姓名:宋春伟  何金龙  李刚
作者单位:中国计量大学现代科技学院
基金项目:浙江省自然科学基金(LY22E070008,LY20E070006);
摘    要:针对死区时间引起H桥拓扑各桥臂输出电压波形偏离给定参考电压的问题,根据一个开关周期内调制波与输出电流极性提出了具有12种导通状态的新型开关方式。基于新型开关方式提出了3H桥开关次数均匀分布死区消除SVPWM方案。以三相感应电机作为负载,推导出采用死区消除SVPWM后,在输出电流过零处工频与高频工作桥臂具有的天然死区时间。MCU输出各桥臂上下开关管相位互差180°SVPWM信号以及表征调制波与输出电流极性的电平信号,而后信号经FPGA处理后获得死区消除SVPWM信号。实验结果中给出了在相同参考电压下,采用死区消除SVPWM时输出电压最大偏离给定电压在1.3%左右,而采用有死区SVPWM时最大偏离给定电压在23%左右。由此可见,由MCU与FPGA相结合的数字系统能够很好地实现开关次数均衡死区消除SVPWM策略。

关 键 词:逆变器  H桥  空间矢量  脉宽调制  死区  开关次数
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