| Ka波段高电子迁移率晶体管的研制 |
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| 引用本文： | 王淑君,曹余录,黄常胜,袁明文. Ka波段高电子迁移率晶体管的研制[J]. 微纳电子技术, 1993, 0(6) |
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| 作者姓名： | 王淑君 曹余录 黄常胜 袁明文 |
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| 作者单位： | 电子部第13研究所，电子部第13研究所，电子部第13研究所，电子部第13研究所 石家庄 050051，石家庄 050051，石家庄 050051，石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 介绍了35GHz赝配高电子迁移率晶体管的设计、制造与性能。在测试频率为35GHz时,该器件的最小噪声系数为2.46dB,相关增益为6.95dB。这是国内首次设计定型的8mm三端固态有源器件,其性能达到了1990年12月Alpha公司公布的AF040N3-00 HEMT的水平。
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| 关 键 词： | 迁移率 晶体管 |
Development of Ka-Band High Electron Mobility Transistor |
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| Wang Shujun,Cao Yulu,Huang Changsheng,Yuan Mingwen. Development of Ka-Band High Electron Mobility Transistor[J]. Micronanoelectronic Technology, 1993, 0(6) |
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| Authors: | Wang Shujun Cao Yulu Huang Changsheng Yuan Mingwen |
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| Abstract: | This paper introduces the designing, manufacturing and characteristics of the persudomorphic high electron mobility transistors at 35GHz. When the measuring frequency is 35GHz, the minimum noise figure of the devices is 2.46dB and its correlated gain is 6.95dB. This is the design of 8mm three terminal solid state active devices firstly finalized in our country, and its performances have achieved the level of AF040N3—00 HEMT by Alpha company published in Dec. 1990. |
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| Keywords: | Mobility Transistor |
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