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金属/氮化物肖特基势垒和欧姆接触研究进展
引用本文:薛舫时.金属/氮化物肖特基势垒和欧姆接触研究进展[J].固体电子学研究与进展,2004,24(2):147-158.
作者姓名:薛舫时
作者单位:南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:金属 /氮化物肖特基势垒和欧姆接触是蓝紫光光学器件及高温大功率电子器件中的关键工艺。氮化物半导体是一种极性材料 ,表面态密度较低 ,费米能级钉扎效应较弱 ,表面处理能显著影响接触特性。样品表面的沾污和氧化层也会使接触特性显著退化。宽禁带材料的杂质离化能高 ,重掺杂比较困难。深能级陷阱对载流子的俘获效应很强。这些因素都增加了接触的制作难度 ,促使人们寻求新的方案来改进接触特性。文中从金属 /半导体接触的物理模型出发来综述肖特基势垒和欧姆接触的研究进展 ,希望能给器件研究者提供新的思路。

关 键 词:金属/氮化物接触  势垒高度  欧姆接触
文章编号:1000-3819(2004)02-147-12
修稿时间:2002年5月29日
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