| 背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能 |
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| 引用本文： | 陈亮,游达,汤英文,乔辉,陈俊,赵德刚,张燕,李向阳,龚海梅.背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能[J].激光与红外,2006,36(11):1036-1039. |
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| 作者姓名： | 陈亮 游达 汤英文 乔辉 陈俊 赵德刚 张燕 李向阳 龚海梅 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 文章研究了p-GaN/i-GaN/n-A l0.3Ga0.7N异质结背照式p-i-n可见盲紫外探测器的制备与性能。器件的响应区域为310~365nm,最大响应率为0.046A/W,对应的内量子效率为19%,优值因子R0A达到1.77×108Ω.cm2,相应的在363nm处的探测率D*=2.6×1012cmHz1/2W-1。
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| 关 键 词： | 紫外探测器 响应率 |
| 文章编号： | 1001-5078（2006）11-1036-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-25 |
| 修稿时间： | 2006-07-25 |
Fabrication and Characterization of Backside-illuminated GaN/AlGaN p-i-n Ultraviolet Detector |
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| CHEN Liang,YOU Da,TANG Ying-wen,QIAO Hui,CHEN Jun,ZHAO De-gang,ZHANG Yan,LI Xiang-yang,GONG Hai-mei.Fabrication and Characterization of Backside-illuminated GaN/AlGaN p-i-n Ultraviolet Detector[J].Laser & Infrared,2006,36(11):1036-1039. |
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| Authors: | CHEN Liang YOU Da TANG Ying-wen QIAO Hui CHEN Jun ZHAO De-gang ZHANG Yan LI Xiang-yang GONG Hai-mei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN/AlGaN p-i-n |
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