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脉冲激光沉积法制备ITO薄膜及性质研究
引用本文:杨亚军,李清山,刘宪云.脉冲激光沉积法制备ITO薄膜及性质研究[J].四川激光,2007,28(1):81-82.
作者姓名:杨亚军  李清山  刘宪云
作者单位:曲阜师范大学物理工程学院,山东曲阜,273165;曲阜师范大学物理工程学院,山东曲阜,273165;曲阜师范大学物理工程学院,山东曲阜,273165
摘    要:本文采用脉冲激光沉积法(PLD)制备了ITO导电薄膜,并对其形貌、光学性质和电学性质进行了研究.结果表明,使用PLD方法制备的ITO导电薄膜在可见光区的平均透光率约为80%,方块电阻在100~200Ω/□之间.当衬底温度控制在300℃,氧压控制在1.33Pa时,可以得到具有较高透光率和电导率的ITO导电薄膜.

关 键 词:脉冲激光沉积  ITO薄膜  透光率  方块电阻
文章编号:0253-2743(2007)01-0081-02
收稿时间:2006-07-05
修稿时间:07 5 2006 12:00AM

Preparation and properties of ITO thin film by pulsed laser deposition
YANG Ya-Jun,LI Qing-Shan,Liu Xian-Yun.Preparation and properties of ITO thin film by pulsed laser deposition[J].Laser Journal,2007,28(1):81-82.
Authors:YANG Ya-Jun  LI Qing-Shan  Liu Xian-Yun
Affiliation:College of Physics and Engineering, Qufu Normal University, Qufu 273165, China
Abstract:
Keywords:pulsed laser deposition  ITO film  transmittance  sheet resistance
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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