| 氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究 |
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| 引用本文： | 俞跃辉,林成鲁,邹世昌,卢江.氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究[J].半导体学报,1991,12(10):614-618. |
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| 作者姓名： | 俞跃辉 林成鲁 邹世昌 卢江 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室，中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室，中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室，中国科学技术大学结构分析开放研究实验室 上海200050，上海200050，上海200050 |
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| 摘 要： | 本文中研究了O~+(200keV,1.8 ×10~(18)cm~(-2))和 N~+(180keV,4 ×10~(17)cm~(-2))共注入Si形成 SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的微观结构.俄歇能谱(AES)和光电子能谱(XPS)的测量和研究结果表明:O~+和N~+共注入的SOI结构在经1200℃,2h退火后,O~+和N~+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异.这些结果与红外吸收和离子背散射谱的分析结果相一致.对这种SOI结构界面与埋层的形成特征进行了分析讨论。
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