| 宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管 |
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| 引用本文： | 吴惠桢,梁军,劳燕锋,余萍,徐天宁,邱东江. 宽带隙ZnMgO的电学特性及其透明薄膜场效应晶体管[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 218-222 |
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| 作者姓名： | 吴惠桢 梁军 劳燕锋 余萍 徐天宁 邱东江 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;浙江大学物理系,杭州,310027,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050,浙江大学物理系,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 上海市纳米科技计划项目 , 国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 首次提出了用六方相晶体结构的宽带隙ZnMgO作为薄膜场效应晶体管(TFT)的沟道层,用立方相ZnMgO纳米晶体薄膜作为栅绝缘层,在实验中用透明的ITO导电玻璃作为衬底,通过连续沉积六方和立方相结构的纳米ZnMgO晶体薄膜,并通过光刻、电极工艺等,研制了透明的ZnO基TFT,TFT的电流开关比达到104,场效应迁移率为0.6cm2/(V·s).在偏压2.5MV/cm下漏电流为10-8A.
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| 关 键 词： | 立方相和六方相ZnMgO 薄膜场效应晶体管 电学特性 宽带隙 ZnMgO 电学特性 透明薄膜 场效应晶体管 Transistors Thin Film Transparent Fabrication Bandgap Wide Properties 漏电流 偏压 场效应迁移率 开关比 电极工艺 光刻 晶体结构 连续沉积 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0218-05 |
| 修稿时间： | 2005-11-11 |
Electrical Properties of Wide Bandgap ZnMgO and Fabrication of Transparent Thin Film Transistors |
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| Wu Huizhen,Liang Jun,Lao Yanfeng,Yu Ping,Xu Tianning,Qiu Dongjiang. Electrical Properties of Wide Bandgap ZnMgO and Fabrication of Transparent Thin Film Transistors[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 218-222 |
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| Authors: | Wu Huizhen Liang Jun Lao Yanfeng Yu Ping Xu Tianning Qiu Dongjiang |
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