| 碲镉汞双色材料技术发展及现状 |
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| 引用本文： | 高达,王丛. 碲镉汞双色材料技术发展及现状[J]. 激光与红外, 2013, 43(8): 859-863 |
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| 作者姓名： | 高达 王丛 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | 介绍了从1990年至今国外主要科研机构在HgCdTe双色材料方面的发展及其现状.重点从材料结构和性能两个方面介绍各研究机构的技术路线.当前HgCdTe双色材料的发展方向是高性能、大尺寸、低成本.但各研究机构的技术路线各不相同,不论是Raytheon的n-p-n结构、DRS的HDVIP还是法国的准平面结构,都是根据自身的技术特色,开发适合自身特色的HgCdTe双色材料结构.
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| 关 键 词： | 碲镉汞 双色 材料技术 |
History and status of dual-color HgCdTe material technology |
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| GAO D,WANG Cong. History and status of dual-color HgCdTe material technology[J]. Laser & Infrared, 2013, 43(8): 859-863 |
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| Authors: | GAO D WANG Cong |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-optics Beijing 100015,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe dual band material technology |
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