| 退火温度对ZnO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 余花娃,杜亚利,王晶,严祥安,高宾. 退火温度对ZnO薄膜性能的影响[J]. 纺织高校基础科学学报, 2009, 22(1) |
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| 作者姓名： | 余花娃 杜亚利 王晶 严祥安 高宾 |
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| 作者单位： | 西安工程大学,理学院,陕西,西安,710048 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展规划(973计划)，西安工程大学校管项目，西安工程大学校管项目，西安工程大学校管项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向ZnO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、双光束紫外可见分光光度计等仪器分析了退火温度对ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,在射频功率为100W时所制备的ZnO薄膜,当退火温度为600℃时,能获得最佳c轴取向和最小半高宽,此时ZnO薄膜具有较低的表面粗糙度和较高的透射率.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 X射线衍射分析 原子力显微镜 退火温度 透射率 |
Influence of annealing temperature on properties of ZnO films |
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| YU Huawa,DU Ya-li,WANG Jing,YAN Xiang-an,GAO Bing. Influence of annealing temperature on properties of ZnO films[J]. Basic Sciences Journal of Textile Universities, 2009, 22(1) |
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| Authors: | YU Huawa DU Ya-li WANG Jing YAN Xiang-an GAO Bing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO thin films XRD AFM annealing temperature transmission |
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