| 高性能CMOS集成电压比较器设计 |
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| 引用本文： | 马奎,丁召,吴宗桂,邓爱枝,傅兴华. 高性能CMOS集成电压比较器设计[J]. 现代电子技术, 2009, 32(14): 7-9 |
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| 作者姓名： | 马奎 丁召 吴宗桂 邓爱枝 傅兴华 |
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| 作者单位： | 1. 贵州大学,理学院,贵州,贵阳,550025
2. 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州,贵阳,550025 |
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| 摘 要： | 比较器可以比较一个模拟信号和参考信号,并且输出比较得到的二进制信号.为了设计一个高速度、高精度的比较器,采用预放大锁存比较电路结构,并加以改进.在Cadence环境下基于CSMC 0.5μm CMOS工艺完成比较器的电路设计、版图设计和版图验证.仿真得到比较器的增益为85.588 4 dB,带宽为60.546 7 MHz,上升延时为5.723 74 ns,下降延时为5.429 17 ns,输入失调电压为640.17 μV.它适用于高速A/D等领域的应用.
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| 关 键 词： | 比较器 模拟信号 二进制信号 高速高精度 |
Design of Excellent CMOS Integrated Voltage Comparator |
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| MA Kui,DING Zhao,WU Zonggui,DENG Aizhi,FU Xinghua. Design of Excellent CMOS Integrated Voltage Comparator[J]. Modern Electronic Technique, 2009, 32(14): 7-9 |
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| Authors: | MA Kui DING Zhao WU Zonggui DENG Aizhi FU Xinghua |
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