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一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术
引用本文:
余金山,张瑞涛,张正平,王永禄,朱璨,张磊,俞宙,韩勇.一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术[J].半导体学报,2011,32(1):015006-8.
作者姓名:
余金山
张瑞涛
张正平
王永禄
朱璨
张磊
俞宙
韩勇
作者单位:
中电24所
摘 要:
本文呈现了一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术。对ADC的高3位Flash转换器和低5位折叠内插ADC执行了类似的数字校正。电路的Spice仿真和芯片测试结果显示,对于高频宽带模拟信号输入,当禁用校正电路时,该ADC地 ENOB只能达到5.9位,启用校正,ENOB可以获得7.2位。
关 键 词:
超高速
宽带
折叠内插
模数转换器
收稿时间:
5/17/2010 8:12:51 PM
修稿时间:
8/31/2010 2:45:54 PM
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