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| 一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术 | |
| 引用本文： | 余金山,张瑞涛,张正平,王永禄,朱璨,张磊,俞宙,韩勇.一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术[J].半导体学报,2011,32(1):015006-8. |
| 作者姓名： | 余金山 张瑞涛 张正平 王永禄 朱璨 张磊 俞宙 韩勇 |
| 作者单位： | 中电24所 |
| 摘 要： | 本文呈现了一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术。对ADC的高3位Flash转换器和低5位折叠内插ADC执行了类似的数字校正。电路的Spice仿真和芯片测试结果显示，对于高频宽带模拟信号输入，当禁用校正电路时，该ADC地 ENOB只能达到5.9位，启用校正，ENOB可以获得7.2位。 |
| 关 键 词： | 超高速 宽带 折叠内插 模数转换器 |
| 收稿时间： | 5/17/2010 8:12:51 PM |
| 修稿时间： | 8/31/2010 2:45:54 PM |
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