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| 氮化硅对器件钝化作用的研究 | |
| 引用本文： | 张文敏,周南生,夏俊峰,吴萍,赵忠礼.氮化硅对器件钝化作用的研究[J].西安电子科技大学学报,1987(1). |
| 作者姓名： | 张文敏 周南生 夏俊峰 吴萍 赵忠礼 |
| 作者单位： | 西北电讯工程学院技术物理系，西北电讯工程学院技术物理系，西北电讯工程学院技术物理系，西北电讯工程学院技术物理系，西北电讯工程学院技术物理系 |
| 摘 要： | SiH_4-N_2系等离子增强化学气相淀积方法生长SiN(PECVD法),我们用这种方法对器件进行了钝化,并对钝化前后的器件性能进行了研究,结果表明:SiN对半导体器件具有良好的钝化效果。 |
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