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离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索
引用本文:林森浩,盛康龙,鲍锦荣,王玫珉,邹志宜,沈之荃,杨慕杰.离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索[J].核技术,1987(3).
作者姓名:林森浩  盛康龙  鲍锦荣  王玫珉  邹志宜  沈之荃  杨慕杰
作者单位:中国科学院上海原子核研究所 (林森浩,盛康龙,鲍锦荣,王玫珉,邹志宜),浙江大学 (沈之荃),浙江大学(杨慕杰)
摘    要:聚乙炔(CH)x是一种简单的共轭有机导电高分子材料。1975年日本白川首先用高浓度的Ti(OBu)_4-AlEt_3体系在-78℃下定向聚合得到了均匀的、具有高结晶度的顺式(CH)x薄膜。1977年白川与美国MacCDiarmid等合作,发现掺杂能改善(CH)x的导电性能。后来又发现掺入不同的杂质可使(CH)x显示n型或P型半导体的特性。聚乙炔薄膜具有物理上准一维金属膜型的一些特殊性质,因而引起物理学家的广泛兴趣。1980年美国Su、Schrieffer和Heeger提出了聚乙炔的孤立子(Soliton)导电模型,并用这种模型成功地阐述了一些实验现象。(CH)x的原料便宜,合成简单,具有广阔的应用前景。人们预期可以把聚乙炔应用于制备太阳能电池、蓄电池及塑料半导体器件等。

关 键 词:离子注入  聚乙炔  掺杂

Preliminary investigation on ion implantation for doping ofpolyacetylene film
Lin Senhao Sheng Kanglong Bao Jinrong Wang Wenmin Zhou Zhiyi.Preliminary investigation on ion implantation for doping ofpolyacetylene film[J].Nuclear Techniques,1987(3).
Authors:Lin Senhao Sheng Kanglong Bao Jinrong Wang Wenmin Zhou Zhiyi
Abstract:
Keywords:ion implantation polyacetylene doping
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