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离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索
引用本文:林森浩,盛康龙,鲍锦荣,王玫珉,邹志宜,沈之荃,杨慕杰. 离子注入法掺杂聚乙炔的初步探索[J]. 核技术, 1987, 0(3)
作者姓名:林森浩  盛康龙  鲍锦荣  王玫珉  邹志宜  沈之荃  杨慕杰
作者单位:中国科学院上海原子核研究所(林森浩,盛康龙,鲍锦荣,王玫珉,邹志宜),浙江大学(沈之荃),浙江大学(杨慕杰)
摘    要:聚乙炔(CH)x是一种简单的共轭有机导电高分子材料。1975年日本白川首先用高浓度的Ti(OBu)_4-AlEt_3体系在-78℃下定向聚合得到了均匀的、具有高结晶度的顺式(CH)x薄膜。1977年白川与美国MacCDiarmid等合作,发现掺杂能改善(CH)x的导电性能。后来又发现掺入不同的杂质可使(CH)x显示n型或P型半导体的特性。聚乙炔薄膜具有物理上准一维金属膜型的一些特殊性质,因而引起物理学家的广泛兴趣。1980年美国Su、Schrieffer和Heeger提出了聚乙炔的孤立子(Soliton)导电模型,并用这种模型成功地阐述了一些实验现象。(CH)x的原料便宜,合成简单,具有广阔的应用前景。人们预期可以把聚乙炔应用于制备太阳能电池、蓄电池及塑料半导体器件等。

关 键 词:离子注入  聚乙炔  掺杂

Preliminary investigation on ion implantation for doping ofpolyacetylene film
Lin Senhao Sheng Kanglong Bao Jinrong Wang Wenmin Zhou Zhiyi. Preliminary investigation on ion implantation for doping ofpolyacetylene film[J]. Nuclear Techniques, 1987, 0(3)
Authors:Lin Senhao Sheng Kanglong Bao Jinrong Wang Wenmin Zhou Zhiyi
Abstract:
Keywords:ion implantation polyacetylene doping
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