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退火过程中Ti4+离子对低压ZnO陶瓷压敏性能的影响
引用本文:徐庆,陈文,郜定山,袁润章. 退火过程中Ti4+离子对低压ZnO陶瓷压敏性能的影响[J]. 硅酸盐通报, 2000, 19(3): 13-18
作者姓名:徐庆  陈文  郜定山  袁润章
作者单位:1. 武汉工业大学材料复合新技术国家实验室,430070;武汉工业大学材料科学与工程学院,430070
2. 武汉工业大学材料科学与工程学院,430070
3. 武汉工业大学材料复合新技术国家实验室,430070
基金项目:武汉工业大学校科研和教改项目,,
摘    要:本文对烧成后的掺TiO2低压ZnO压敏陶瓷进行了退火处理。测量了不同退火温度下ZnO陶瓷的压敏性能,运用XRD,SEM等分析方法研究了退火过程中ZnO陶瓷结构的变化。研究结果表明,退火过程中Ti^4+离子取代Zn^2+离子而固溶进入ZnO晶粒表面,是引起ZnO陶瓷压敏性能变化的主要原因,在退火温度不超过400℃时可获得较好的压敏性能。

关 键 词:压敏性 退火 氧化锌陶瓷 钛离子 烧成

Influences of Ti4+ion on Varistor Properties of Low-voltage ZnO Ceramics during Annealing Process
Xu Qing,Chen Wen,Gao Dingshan,Yuan Runzhang. Influences of Ti4+ion on Varistor Properties of Low-voltage ZnO Ceramics during Annealing Process[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2000, 19(3): 13-18
Authors:Xu Qing  Chen Wen  Gao Dingshan  Yuan Runzhang
Abstract:
Keywords:ZnO ceramics varistor properties annealing Ti~ (4+) ion
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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