| 长柱状β-Si3N4晶粒与SiC晶须在层状Si3N4/BN复合材料中的作用 |
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| 引用本文： | 昝青峰,黄勇,汪长安,李淑琴,李翠伟.长柱状β-Si3N4晶粒与SiC晶须在层状Si3N4/BN复合材料中的作用[J].材料工程,2001(5):22-26. |
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| 作者姓名： | 昝青峰 黄勇 汪长安 李淑琴 李翠伟 |
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| 作者单位： | [1]清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京100084 [2]清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京10 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，59632090， |
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| 摘 要： | 用SiC晶须和长柱状β－Si3N4对Si3N4/BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化，轧膜工艺对SiC晶须和原料中存在的少量β－Si3N4晶粒有一定的定向作用，而基体层中定向分布的SiC晶须和长柱状的β－Si3N4晶粒对基体层的强讳论作用类似于块体材料，其抗弯强度和断裂韧性的提高幅度都大于50％，分隔层中β－Si3N4的定向度较差，但这利利于形成网状结构，在分隔层中起到骨架的作用，同时还可以增加裂纹的扩展长度，改善分隔层与基体层的界面结合状态，最终得到性能最佳的材料的成分为Si3N4 20wt%SiC晶须（基体层），BN＋15vol%β-SiN4（分隔层），其断裂功可达4820J／m2，抗弯强度仍可保持在650Mpa。β
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| 关 键 词： | 层状材料 分隔层 复合材料 碳化硅晶须 长柱状β－氮化硅 陶瓷 力学性能 |
| 文章编号： | 1001-4381(2001)05-0022-05 |
| 修稿时间： | 2000年11月20日 |
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