| X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究 |
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| 引用本文： | 王冬冬, 刘果果, 刘丹, 李诚瞻, 刘新宇, 和致经,.X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究[J].电子器件,2008,31(6). |
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| 作者姓名： | 王冬冬 刘果果 刘丹 李诚瞻 刘新宇 和致经 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 基于SiC衬底成功研制X波段0.25 μm栅长带有r栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板(field plate)长度为0.4 μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm.研究了r栅场板长度及不同漏偏压下对器件直流,小信号特性及大信号的影响.器件直流I-V及转移特性并不依赖场板长度变化,增加场板长度器件击穿电压提高可达108 V,器件截止频率及振荡频率下降,输出功率大幅度提高,结合器件小信号提参结果分析.8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度为0.9 μm的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相应线性增益10.25 dB.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMTs r栅场板 截止频率 功率密度 |
Study on X-Band AlGaN/GaN HEMTs with r-Gate Field-Plate |
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| WANG Dong-dong,LIU Guo-guo,LIU Dan,LI Cheng-zhan,LIU Xin-yu,HE Zhi-jing.Study on X-Band AlGaN/GaN HEMTs with r-Gate Field-Plate[J].Journal of Electron Devices,2008,31(6). |
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| Authors: | WANG Dong-dong LIU Guo-guo LIU Dan LI Cheng-zhan LIU Xin-yu HE Zhi-jing |
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| Affiliation: | WANG Dong-dong,LIU Guo-guo,LIU Dan,LI Cheng-zhan,LIU Xin-yu,HE Zhi-jing(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Science,Beijing 100029,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMTs |
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