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| 氮化硅钝化膜中氢的作用 | |
| 引用本文： | 周南生,宫俊,张文敏.氮化硅钝化膜中氢的作用[J].西安电子科技大学学报,1987(4). |
| 作者姓名： | 周南生 宫俊 张文敏 |
| 作者单位： | 西北电讯工程学院技术物理系，西北电讯工程学院技术物理系，西北电讯工程学院技术物理系 |
| 摘 要： | 利用红外吸收光谱法,测量了氮化硅膜中的氢浓度。在钝化前后,对MOS结构界面性质及MOS器件特性进行了研究。结果表明:氮化硅膜中的氢浓度对MOS结构界面态影响较小,这主要是在淀积过程中,进入SiO_2层中的氢元素较少的缘故。钝化改善了CMOS器件的性能。 |
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