| 裸芯片老化技术评价 |
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| 引用本文： | 刘林春,孔学东. 裸芯片老化技术评价[J]. 电子质量, 2007, 0(2): 28-30 |
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| 作者姓名： | 刘林春 孔学东 |
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| 作者单位： | 广东工业大学材料与能源学院,广州,510075;信息产业部电子第五研究所,广州,510610;信息产业部电子第五研究所,广州,510610 |
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| 摘 要： | 老化可以筛选出裸芯片的潜在缺陷并因此改善产品的外在质量与可靠性.同时,老化也是非常耗时与耗费人力的.如果对产品的可靠性水平要求较低,要想低成本获得已知良好芯片(KGD),一般是不采用老化程序,但如果想获得高可靠KGD,一定程度的老化是必不可少的.本文将介绍老化的三种通用方法并进行了比较分析.
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| 关 键 词： | 已知良好芯片(KGD) 老化 圆片级老化(WLBI) |
| 文章编号： | 1003-0107（2007）02-0028-03 |
The Evaluation of Burn-in Methods for Bare Die |
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| Liu Lin-chun,Kong Xue-dong. The Evaluation of Burn-in Methods for Bare Die[J]. Electronics Quality, 2007, 0(2): 28-30 |
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| Authors: | Liu Lin-chun Kong Xue-dong |
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| Affiliation: | 1 Faculty of Materials and Energy of Guangdong University of Technology, Guangzhou 510075, China;2 The 5th Electronics Research Institute of Ministry of Information Industry,Guangzhou 510610 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Known good die(KGD) Burn-in Wafer level bum-in |
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