磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究 |
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作者姓名: | 何波 徐静 宁欢颇 邢怀中 王春瑞 张晓东 莫观孔 沈晓明 |
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作者单位: | 东华大学 应用物理系,上海 201620;挪威能源技术研究所, Instituttveien 18,2007 Kjeller;上海大学 分析测试中心,上海,200444;东华大学 应用物理系,上海,201620;广西大学 资源环境与材料学院,广西 南宁,530004 |
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摘 要: | 采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3 V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。
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关 键 词: | 纳米晶GZO/CdS双层膜 磁控溅射 异质结 电流-电压 (Ⅰ-Ⅴ) 特性 |
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