| 基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备 |
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| 引用本文： | 杨海博,戴风伟,王启东,曹立强.基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备[J].微纳电子技术,2019(7):580-585,592. |
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| 作者姓名： | 杨海博 戴风伟 王启东 曹立强 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院微电子研究所;2.中国科学院大学;3.华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
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| 基金项目： | 航天自然科学基金资助项目(U1537208);国家02重大专项资助项目(2017ZX02315005) |
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| 摘 要： | 为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案。该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300μm深的TSV,通过结合保型性电镀工艺和底部填充电镀工艺进行TSV填充。在转接板背面工艺中首先通过光刻将双面TSV的重叠部分控制在一个理想的范围内,然后经深反应离子刻蚀(DRIE)工艺形成深度为20μm的TSV并完成绝缘层开窗,最后使用保型性电镀完成TSV互连。通过解决TSV刻蚀中侧壁形貌粗糙、TSV底部金属层过薄和光刻胶显影不洁等关键问题,最终得到了双面互连电阻约为20Ω、厚度约为323μm的硅转接板。
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| 关 键 词： | 转接板 异质集成 硅通孔(TSV) 先进封装 深反应离子刻蚀(DRIE) 保型性电镀 |
Fabrication of the Ultra-Thick Silicon Interposer Based on Double-Sided TSV Interconnection Technology |
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| Yang Haibo,Dai Fengwei,Wang Qidong,Cao Liqiang.Fabrication of the Ultra-Thick Silicon Interposer Based on Double-Sided TSV Interconnection Technology[J].Micronanoelectronic Technology,2019(7):580-585,592. |
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| Authors: | Yang Haibo Dai Fengwei Wang Qidong Cao Liqiang |
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| Affiliation: | (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences , Beijing 100029, China;National Center for Advanced Packaging Co., Ltd.,Wuxi 214135,China;University of Chinese Academy of Sciences , Beijing 100049, China) |
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| Abstract: | Yang Haibo;Dai Fengwei;Wang Qidong;Cao Liqiang(Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences , Beijing 100029, China;National Center for Advanced Packaging Co., Ltd.,Wuxi 214135,China;University of Chinese Academy of Sciences , Beijing 100049, China) |
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| Keywords: | interposer heterogeneous integration through silicon via (TSV) advanced packaging deep reactive ion etching (DRIE) conformal electroplating |
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