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| 沉积温度及热处理对AZO纳米叠层薄膜性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.长春理工大学理学院 |
| 摘 要： | 采用原子层沉积技术(ALD)在石英片和n型(100)Si上沉积高阻氧化锌铝(AZO)纳米叠层薄膜,通过扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)和体积表面电阻率测试仪对薄膜的表面形貌、晶体结构及电学性能进行表征分析,分别研究了不同沉积温度及退火温度对薄膜结构及性质的影响。研究结果表明AZO薄膜存在最优的生长温度窗口为170～200℃,同时发现,经过退火处理的薄膜电阻率明显增大,且适当的退火有助于薄膜结构的优化,经过400℃下退火4 h后的薄膜电阻趋于稳定,可作为微通道板(MCP)打拿极高阻导电层材料。 |
| 关 键 词： | 微通道板(MCP) 氧化锌铝(AZO)纳米薄膜 原子层沉积(ALD) 热处理 电学特性 |
Effects of the Deposition Temperature and Heat Treatment on Properties of AZO Nano Laminated Films |
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| Keywords: | |