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| 铜互连CMP中BTA的缓蚀机理及Cu-BTA的去除研究进展 | |
| 作者单位： | ;1.河北工业大学电子信息工程学院;2.天津市电子材料与器件重点实验室 |
| 摘 要： | 铜具有低电阻率和高抗电迁移性,是目前极大规模集成电路的主流金属互连材料。化学机械抛光(CMP)是实现铜表面局部与全局平坦的关键工艺。为获得铜互连较高的凹凸材料去除速率选择比,通常需在CMP抛光液中加入缓蚀剂苯并三唑(BTA),而CMP后铜表面的BTA残留需要在后续的清洗工艺中进行有效的去除。对铜互连CMP中BTA对铜的腐蚀抑制机理的研究进行了归纳分析,并对BTA与其他试剂协同抑制铜腐蚀的研究进行了讨论,进而论述了碱性清洗液对Cu-BTA络合物去除的研究进展,并概述了新型缓蚀剂的研究现状,最后对缓蚀剂未来的研究方向进行了展望。 |
| 关 键 词： | 苯并三唑(BTA) 铜 缓蚀 Cu-BTA 化学机械抛光(CMP) |
Research Progress on Corrosion Inhibition Mechanism of BTA in Copper Interconnection CMP and Removal of Cu-BTA |
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| Keywords: | |