|
|||||
|
|
| 生长温度对4HN-SiC同质外延层表面缺陷的影响 | |
| 作者单位： | ;1.河北普兴电子科技股份有限公司;2.河北省新型半导体材料重点实验室(筹) |
| 摘 要： | 采用化学气相沉积(CVD)的方法在直径100 mm4°偏角衬底上生长4HN-SiC同质外延片,研究工艺生长温度对外延层表面缺陷的影响,并使用金相显微镜、表面缺陷测试设备、汞探针和红外膜厚仪进行分析和表征。结果表明,工艺生长温度由1 550℃增加到1 620℃,外延层表面的三角形缺陷密度可降低至0.39 cm~(-2);但随着工艺生长温度的增加,导致外延层边缘的台阶聚集数量和长度也急剧增加。在高生长温度下,外延层表面三角缺陷减少以及边缘台阶聚集增加的原因为:一是衬底表面原子迁移率的增加,减少了衬底表面2D生长;二是硅原子的气相成核受到抑制;三是〈1100〉和〈1120〉方向横向生长速率的差异加剧。综上结果,采用1 550℃生长工艺可在高生长速率下制备厚度均匀性和掺杂浓度均匀性分别为1.44%和1.92%的高质量4HN-SiC同质外延片。 |
| 关 键 词： | 4HN-SiC 同质外延 表面缺陷 三角形缺陷 台阶聚集 |
Effect of Growth Temperature on Surface Defects of 4HN-SiC Homo-Epitaxial Layers |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |