| 热型ALD技术制备镍薄膜及其金属硅化物 |
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| 引用本文： | 乌李瑛,瞿敏妮,沈贇靓,王英,程秀兰. 热型ALD技术制备镍薄膜及其金属硅化物[J]. 微纳电子技术, 2019, 0(6): 486-492 |
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| 作者姓名： | 乌李瑛 瞿敏妮 沈贇靓 王英 程秀兰 |
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| 作者单位： | 1.上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台 |
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| 基金项目： | 国家科技部"十三五"高性能计算重点研发计划项目子课题(2016YFB0200205);2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400) |
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| 摘 要： | 金属硅化物材料具有较低的接触电阻,并且与硅材料有较好的兼容性,所以在互补金属氧化物半导体(CMOS)器件中被看作是重要的电极材料。形成镍金属硅化物的关键是镍金属单质的淀积工艺。如何在大深宽比纳米尺度的三维结构中沉积保形性好、纯度高、导电性好的镍金属单质薄膜是亟需解决的问题。利用热法原子层沉积(ALD)技术,以一种新型脒基镍前驱体[Ni(iPr-MeAMD)]_2,在深宽比为10:1的硅基底沟槽中沉积得到纯度高、保形性好、连续平滑的镍薄膜。对薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,为单一的α六方晶体结构。考察了不同退火温度下镍金属硅化物的形成,利用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱(EDS)和XRD进行了物相相变的分析。退火温度400℃下得到NiSi相,其薄膜电阻率最低,约为34μΩ·cm。
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| 关 键 词： | 镍(Ni)薄膜 原子层沉积(ALD) 沉积速率 金属硅化物 互补金属氧化物半导体(CMOS) |
Growth of Nickel Thin Film and Nickel Silicide by Thermal ALD |
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| Wu Liying,Qu Minni,Shen Yunliang,Wang Ying,Cheng Xiulan. Growth of Nickel Thin Film and Nickel Silicide by Thermal ALD[J]. Micronanoelectronic Technology, 2019, 0(6): 486-492 |
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| Authors: | Wu Liying Qu Minni Shen Yunliang Wang Ying Cheng Xiulan |
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| Affiliation: | (Center for Advanced Electronic Materials and Devices , School of Electronic Information and ElectricalEngineering<, Shanghai Jiao Tong University , Shanghai 200240, China) |
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| Abstract: | Wu Liying;Qu Minni;Shen Yunliang;Wang Ying;Cheng Xiulan(Center for Advanced Electronic Materials and Devices , School of Electronic Information and ElectricalEngineering<, Shanghai Jiao Tong University , Shanghai 200240, China) |
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| Keywords: | nickel film atomic layer deposition(ALD) deposition rate metal silicide complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) |
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