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基于SOI的低横向灵敏度压阻式加速度计的设计
引用本文:林立娜,梁庭,李鑫,杨娇燕,李奇思,雷程. 基于SOI的低横向灵敏度压阻式加速度计的设计[J]. 微纳电子技术, 2019, 0(6): 466-472
作者姓名:林立娜  梁庭  李鑫  杨娇燕  李奇思  雷程
作者单位:1.中北大学电子测试技术重点实验室;2.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
基金项目:国家自然科学基金杰出青年基金资助项目(51425505)
摘    要:提出了一种非同一平面的双弯曲梁的压阻式加速度计,在加速度作用下该结构梁的质心与质量块的质心对齐,从而实现低横向效应。利用SOLIDWORKS软件建立了结构模型,并用Comsol仿真软件和有限元ANSYS仿真软件对其进行静态分析、模态分析和电学性能分析。分析了影响频率和灵敏度的相关参数,对加速度计的结构参数进行了优化。设计了一套版图以及工艺加工方案,采用微电子机械系统(MEMS)标准工艺完成了加速度计的制备。最后进行精密离心机测试,结果表明该结构的加速度计具有较低的横轴灵敏度,其中X轴的横向灵敏度为0.078%,Y轴的横向灵敏度为0.002%,比较高的主轴灵敏度,Z轴灵敏度为0.64 mV/g。

关 键 词:压阻式加速度计  微电子机械系统(MEMS)  绝缘体上硅(SOI)  低横向灵敏度  有限元仿真

Design of the Low Cross Axis Sensitivity Piezoresistive Accelerometer Based on SOI
Lin Lina,Liang Ting,Li Xin,Yang Jiaoyan,Li Qisi,Lei Cheng. Design of the Low Cross Axis Sensitivity Piezoresistive Accelerometer Based on SOI[J]. Micronanoelectronic Technology, 2019, 0(6): 466-472
Authors:Lin Lina  Liang Ting  Li Xin  Yang Jiaoyan  Li Qisi  Lei Cheng
Affiliation:(Science and Technology on Electronic Test and Measurement Laboratory,North University of China , Taiyuan 030051, China;Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement of Ministry of Education , North University of China , Taiyuan 030051, China)
Abstract:Lin Lina;Liang Ting;Li Xin;Yang Jiaoyan;Li Qisi;Lei Cheng(Science and Technology on Electronic Test and Measurement Laboratory,North University of China , Taiyuan 030051, China;Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement of Ministry of Education , North University of China , Taiyuan 030051, China)
Keywords:piezoresistive accelerometer  micro-electromechanical system(MEMS)  silicon-on-insulator(SOI)  low cross axis sensitivity  finite element simulation
本文献已被 维普 等数据库收录!
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