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| 纳米Si薄膜生长及其Monte-Carlo模拟 | |
| 作者单位： | ;1.河北工业大学电子信息工程学院 |
| 摘 要： | 在玻璃衬底到靶的不同水平距离W (0.5、0.8和1.3 cm)条件下,使用脉冲激光沉积(PLD)方法分别制备了纳米Si薄膜。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,在三种样品上形成的纳米Si颗粒尺寸会随W的增加而增大。为了解释该现象,使用Monte-Carlo方法模拟了薄膜生长。对粒子相互作用范围α和最大行走步长进行实验和筛选,当α取2时,随着粒子在衬底上最大行走步长的增大,薄膜生长方式从分散生长转化为簇状生长。仿真结果表明粒子岛的平均尺寸呈逐渐增大趋势,这与实验结果具有良好的一致性。因此,随着W的增加,Si原子落到衬底上时更大的初始动能是导致纳米Si颗粒尺寸增大的主要原因。 |
| 关 键 词： | 硅(Si) 纳米材料 薄膜生长 脉冲激光沉积(PLD) Monte-Carlo模拟 |
Growth and Monte-Carlo Simulation of the Nano-Si Film |
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