| Pentcene/SiO2表面随温度变化的AFM研究 |
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| 引用本文： | 陶春兰,董茂军,张旭辉,张福甲. Pentcene/SiO2表面随温度变化的AFM研究[J]. 功能材料, 2008, 39(6): 881-882 |
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| 作者姓名： | 陶春兰 董茂军 张旭辉 张福甲 |
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| 作者单位： | 兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000;兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000;兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000;兰州大学,物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜.用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素.
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| 关 键 词： | pentcene/SiO2 AFM 表面形貌 |
AFM analysis for the temperature-dependent surface morphology of pentacene/SiO2 heterjunction |
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| TAO Chun-lan,DONG Mao-jun,ZHANG Xu-hui,ZHANG Fu-jia. AFM analysis for the temperature-dependent surface morphology of pentacene/SiO2 heterjunction[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(6): 881-882 |
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| Authors: | TAO Chun-lan DONG Mao-jun ZHANG Xu-hui ZHANG Fu-jia |
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