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食品级SiO2中有害元素的发射光谱分析
引用本文:谢华林,聂西度,周学忠.食品级SiO2中有害元素的发射光谱分析[J].食品工业,2012(7):134-137.
作者姓名:谢华林  聂西度  周学忠
作者单位:长江师范学院化学化工学院;中南大学化学化工学院;湖南工学院材料与化学工程系
基金项目:重庆市自然科学基金资助项目(cstc2011jjA0780);湖南省教育厅科研项目(10C0575)
摘    要:建立了用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定食品添加剂SiO2中Cr、Co、Ni、As、Cd、Sb、Hg、Pb等有害元素的分析方法。样品用硝酸+氢氟酸分解后,试液直接用ICP-OES法同时测定上述8种元素。研究了基体硅对分析元素的光谱干扰情况和基体效应的影响,确定了仪器的最佳工作参数,通过选择灵敏度高且不受干扰的待测元素谱线为分析线。结果表明:8种待测元素的检出限在1.69~8.33μg/L之间,各待测元素的浓度与信号强度的线性关系良好,线性相关系数R2≥0.999 8,各待测元素的精密度良好,RSD<2.95%,三水平加标回收率为93.3%~102.3%。

关 键 词:电感耦合等离子体发射光谱  食品添加剂  二氧化硅  有害元素

Quantification of Trace Amounts of Harmful Elements in Food Additives SiO2 by Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectrometry
Xie Hua-lin,Nie Xi-du,Zhou Xue-zhong.Quantification of Trace Amounts of Harmful Elements in Food Additives SiO2 by Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectrometry[J].The Food Industry,2012(7):134-137.
Authors:Xie Hua-lin  Nie Xi-du  Zhou Xue-zhong
Affiliation:1.College of Chemistry and Chemical Engineering,Yangtze Normal University(Fuling 408100); 2.School of Chemistry and Chemical Engineering,Central South University(Changsha 410083); 3.Department of Material and Chemical Engineering,Hunan Institute of Technology(Hengyang 421002)
Abstract:
Keywords:
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